FQD2N60CTM - MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

codice articolo del costruttore

FQD2N60CTM

Numero parte interna

ABC-FQD2N60CTM

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1589868 Pieces

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Specifiche per FQD2N60CTM

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FQD2N60CTM

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Serie : QFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.9A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 Ohm @ 950mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 235pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta), 44W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D-Pak

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FQD , FQD2N

Documenti per FQD2N60CTM

Schede tecniche : FQD2N60CTM.pdf

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