SQJ410EP-T1_GE3 - MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8

codice articolo del costruttore

SQJ410EP-T1_GE3

Numero parte interna

ABC-SQJ410EP-T1_GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

519519 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.63004~~

Il nostro prezzo

- (Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore: [email protected])

ABC Semiconductor ha SQJ410EP-T1_GE3 in magazzino per la vendita. Possiamo spedire entro 1-2 giorni. Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore per SQJ410EP-T1_GE3. La nostra email: [email protected]

Opzioni di spedizione e tempi di spedizione:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opzioni di pagamento:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Specifiche per SQJ410EP-T1_GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SQJ410EP-T1_GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 32A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 10.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 6210pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 83W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SO-8

Pacchetto / caso : PowerPAK® SO-8

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SQJ41 , SQJ410E

Documenti per SQJ410EP-T1_GE3

Schede tecniche : SQJ410EP-T1_GE3.pdf

Prodotti correlati per SQJ410EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Numero parte	Marca	Descrizione
WI140316WQ75236BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
TF170279BQ50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 25KV R85.
WF135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 20KV SCREW.
BZ118100WV10136CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 100PF 30KV AXIAL.
WF135218WL40238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 16KV SCREW.
WF135373BQ50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 25KV SCREW.
WF135242BQ25236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 2500PF 25KV SCREW.
WZ125178BH30236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 3000PF 10KV.
PZ0140WL10136CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 100PF 16KV DISK.
12065C223KHT1A	AVX Corporation	Ceramic Capacitors 0.022UF 50V X7R 1206.
TF170311WW40236BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 32KV R85.
WF135242BQ25238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 2500PF 25KV SCREW.
WI106266WP40236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 20KV SCREW.
WF165336WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
PEF220BJ80238BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 8000PF 15KV R230 DISK.
BZ114096WZ10248BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1000PF 40KV.
WI085175WJ22238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 2200PF 14KV.
WI085215WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1000PF 14KV SCREW.
WX110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 14KV SCREW.
CDR32BP102BJZRAC	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 1000PF 100V BP 1206.