QJD1210010 - MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

codice articolo del costruttore

QJD1210010

Numero parte interna

ABC-QJD1210010

fabbricante

Powerex Inc.

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

52923 Pieces

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Specifiche per QJD1210010

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : QJD1210010

fabbricante : Powerex Inc.

Descrizione : MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 100A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 500nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 10200pF @ 800V

Potenza - Max : 1080W

temperatura di esercizio : -40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : Module

Pacchetto dispositivo fornitore : Module

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : QJD , QJD12

Documenti per QJD1210010

Schede tecniche : QJD1210010.pdf

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