IRL6372TRPBF - MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC

codice articolo del costruttore

IRL6372TRPBF

Numero parte interna

ABC-IRL6372TRPBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1676178 Pieces

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Specifiche per IRL6372TRPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRL6372TRPBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC

Serie : HEXFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1020pF @ 25V

Potenza - Max : 2W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRL6 , IRL637

Documenti per IRL6372TRPBF

Schede tecniche : IRL6372TRPBF.pdf

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