DMG9N65CTI - MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB

codice articolo del costruttore

DMG9N65CTI

Numero parte interna

ABC-DMG9N65CTI

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

361676 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per DMG9N65CTI

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMG9N65CTI

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2310pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 13W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : ITO-220AB

Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMG , DMG9N

Documenti per DMG9N65CTI

Schede tecniche : DMG9N65CTI.pdf

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