TPS1120DR - MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

codice articolo del costruttore

TPS1120DR

Numero parte interna

ABC-TPS1120DR

fabbricante

T-I

Breve descrizione

MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

722722 Pieces

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Specifiche per TPS1120DR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TPS1120DR

fabbricante : T-I

Descrizione : MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 15V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.17A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.45nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Potenza - Max : 840mW

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per TPS1120DR

Schede tecniche : TPS1120DR.pdf

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