FDP10N60NZ - MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

codice articolo del costruttore

FDP10N60NZ

Numero parte interna

ABC-FDP10N60NZ

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

310254 Pieces

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Specifiche per FDP10N60NZ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDP10N60NZ

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

Serie : UniFET-II™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1475pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 185W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220-3

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per FDP10N60NZ

Schede tecniche : FDP10N60NZ.pdf

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