SI3552DV-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

codice articolo del costruttore

SI3552DV-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SI3552DV-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1839152 Pieces

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Specifiche per SI3552DV-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI3552DV-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N and P-Channel

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3.2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Potenza - Max : 1.15W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-TSOP

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI355 , SI3552D

Documenti per SI3552DV-T1-GE3

Schede tecniche : SI3552DV-T1-GE3.pdf

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