IRD3CH101DB6 - DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE

codice articolo del costruttore

IRD3CH101DB6

Numero parte interna

ABC-IRD3CH101DB6

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

42523 Pieces

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Specifiche per IRD3CH101DB6

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRD3CH101DB6

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V

Corrente: media rettificata (Io) : 200A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 2.7V @ 200A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 360ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 3.6µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F : -

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : Die

Pacchetto dispositivo fornitore : Die

Temperatura operativa - Giunzione : -40°C ~ 175°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRD3 , IRD3CH

Documenti per IRD3CH101DB6

Schede tecniche : IRD3CH101DB6.pdf

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