1N4448,113 - DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

codice articolo del costruttore

1N4448,113

Numero parte interna

ABC-1N4448,113

fabbricante

NXP USA Inc.

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

112168 Pieces

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Specifiche per 1N4448,113

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 1N4448,113

fabbricante : NXP USA Inc.

Descrizione : DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V

Corrente: media rettificata (Io) : 200mA (DC)

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1V @ 100mA

Velocità : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr) : 4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 25nA @ 20V

Capacità @ Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto / caso : DO-204AH, DO-35, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore : ALF2

Temperatura operativa - Giunzione : 200°C (Max)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 1N4 , 1N444

Documenti per 1N4448,113

Schede tecniche : 1N4448,113.pdf

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