HAT2279H-EL-E - MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK

codice articolo del costruttore

HAT2279H-EL-E

Numero parte interna

ABC-HAT2279H-EL-E

fabbricante

Renesas Electronics America

Breve descrizione

MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

497441 Pieces

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Specifiche per HAT2279H-EL-E

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : HAT2279H-EL-E

fabbricante : Renesas Electronics America

Descrizione : MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK

Serie : -

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3520pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 25W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : LFPAK

Pacchetto / caso : SC-100, SOT-669

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : HAT2 , HAT227

Documenti per HAT2279H-EL-E

Schede tecniche : HAT2279H-EL-E.pdf

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