R8002ANJFRGTL - R8002ANJ FRG IS A POWER MOSFET W

codice articolo del costruttore

R8002ANJFRGTL

Numero parte interna

ABC-R8002ANJFRGTL

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

R8002ANJ FRG IS A POWER MOSFET W

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

596876 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per R8002ANJFRGTL

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : R8002ANJFRGTL

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : R8002ANJ FRG IS A POWER MOSFET W

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.3 Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 62W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : LPTS

Pacchetto / caso : SC-83

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : R800 , R8002A

Documenti per R8002ANJFRGTL

Schede tecniche : R8002ANJFRGTL.pdf

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