TSM60NB1R4CH C5G - MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251

codice articolo del costruttore

TSM60NB1R4CH C5G

Numero parte interna

ABC-TSM60NB1R4CH C5G

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

727377 Pieces

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Specifiche per TSM60NB1R4CH C5G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TSM60NB1R4CH C5G

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.12nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 257.3pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 28.4W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-251 (IPAK)

Pacchetto / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TSM60 , TSM60NB1

Documenti per TSM60NB1R4CH C5G

Schede tecniche : TSM60NB1R4CH C5G.pdf

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