BSC026N04LSATMA1 - MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON

codice articolo del costruttore

BSC026N04LSATMA1

Numero parte interna

ABC-BSC026N04LSATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1102136 Pieces

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Specifiche per BSC026N04LSATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSC026N04LSATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 23A (Ta), 100A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2300pF @ 20V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta), 63W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TDSON-8

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSC02 , BSC026N0

Documenti per BSC026N04LSATMA1

Schede tecniche : BSC026N04LSATMA1.pdf

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