PMXB65UPEZ - MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G

codice articolo del costruttore

PMXB65UPEZ

Numero parte interna

ABC-PMXB65UPEZ

fabbricante

Nexperia USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

7339115 Pieces

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Specifiche per PMXB65UPEZ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PMXB65UPEZ

fabbricante : Nexperia USA Inc.

Descrizione : MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.2A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 72 mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 634pF @ 6V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 317mW (Ta), 8.33W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DFN1010D-3

Pacchetto / caso : 3-XDFN Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PMX , PMXB6

Documenti per PMXB65UPEZ

Schede tecniche : PMXB65UPEZ.pdf

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