1N916B_T50R - DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

codice articolo del costruttore

1N916B_T50R

Numero parte interna

ABC-1N916B_T50R

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

27438 Pieces

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Specifiche per 1N916B_T50R

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 1N916B_T50R

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V

Corrente: media rettificata (Io) : 200mA

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1V @ 20mA

Velocità : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr) : 4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 5µA @ 75V

Capacità @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto / caso : DO-204AH, DO-35, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore : DO-35

Temperatura operativa - Giunzione : -65°C ~ 175°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 1N9 , 1N916

Documenti per 1N916B_T50R

Schede tecniche : 1N916B_T50R.pdf

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