APTMC120HM17CT3AG - POWER MODULE - SIC MOSFET

codice articolo del costruttore

APTMC120HM17CT3AG

Numero parte interna

ABC-APTMC120HM17CT3AG

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

POWER MODULE - SIC MOSFET

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

59023 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 448.1778~~

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Specifiche per APTMC120HM17CT3AG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : APTMC120HM17CT3AG

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : POWER MODULE - SIC MOSFET

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 4 N-Channel

Caratteristica FET : Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 147A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 100A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 30mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 332nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5576pF @ 1000V

Potenza - Max : 750W

temperatura di esercizio : -40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : Module

Pacchetto dispositivo fornitore : SP3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : APTMC , APTMC120

Documenti per APTMC120HM17CT3AG

Schede tecniche : APTMC120HM17CT3AG.pdf

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