IXFT12N100F - MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

codice articolo del costruttore

IXFT12N100F

Numero parte interna

ABC-IXFT12N100F

fabbricante

IXYS-RF

Breve descrizione

MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

70128 Pieces

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Specifiche per IXFT12N100F

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXFT12N100F

fabbricante : IXYS-RF

Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

Serie : HiPerRF™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 77nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 300W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-268 (IXFT)

Pacchetto / caso : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXF , IXFT1

Documenti per IXFT12N100F

Schede tecniche : IXFT12N100F.pdf

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