CSD19533Q5AT - MOSFET N-CH 100V 100A VSONP

codice articolo del costruttore

CSD19533Q5AT

Numero parte interna

ABC-CSD19533Q5AT

fabbricante

T-I

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 100A VSONP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

642684 Pieces

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Specifiche per CSD19533Q5AT

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : CSD19533Q5AT

fabbricante : T-I

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 100A VSONP

Serie : NexFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.4 mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2670pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.2W (Ta), 96W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-VSONP (5x6)

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : CSD1 , CSD195

Documenti per CSD19533Q5AT

Schede tecniche : CSD19533Q5AT.pdf

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