SI5511DC-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

codice articolo del costruttore

SI5511DC-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SI5511DC-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

53989 Pieces

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Specifiche per SI5511DC-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI5511DC-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N and P-Channel

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A, 3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.1nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 435pF @ 15V

Potenza - Max : 3.1W, 2.6W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore : 1206-8 ChipFET™

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI551 , SI5511D

Documenti per SI5511DC-T1-GE3

Schede tecniche : SI5511DC-T1-GE3.pdf

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