ALD1110ESAL - MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC

codice articolo del costruttore

ALD1110ESAL

Numero parte interna

ABC-ALD1110ESAL

fabbricante

Advanced Linear Devices Inc.

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

115120 Pieces

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Specifiche per ALD1110ESAL

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : ALD1110ESAL

fabbricante : Advanced Linear Devices Inc.

Descrizione : MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC

Serie : EPAD®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 10V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.01V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2.5pF @ 5V

Potenza - Max : 600mW

temperatura di esercizio : 0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : ALD , ALD11

Documenti per ALD1110ESAL

Schede tecniche : ALD1110ESAL.pdf

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