GA10JT12-247 - TRANS SJT 1.2KV 10A

codice articolo del costruttore

GA10JT12-247

Numero parte interna

ABC-GA10JT12-247

fabbricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descrizione

TRANS SJT 1.2KV 10A

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

67296 Pieces

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Specifiche per GA10JT12-247

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : GA10JT12-247

fabbricante : GeneSiC Semiconductor

Descrizione : TRANS SJT 1.2KV 10A

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : -

Tecnologia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 10A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 170W (Tc)

temperatura di esercizio : 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247AB

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : GA10 , GA10JT

Documenti per GA10JT12-247

Schede tecniche : GA10JT12-247.pdf

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