RS1DLHMHG - DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

codice articolo del costruttore

RS1DLHMHG

Numero parte interna

ABC-RS1DLHMHG

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

14003199 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.023375~~

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Specifiche per RS1DLHMHG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RS1DLHMHG

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V

Corrente: media rettificata (Io) : 800mA

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 800mA

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore : Sub SMA

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RS1 , RS1D

Documenti per RS1DLHMHG

Schede tecniche : RS1DLHMHG.pdf

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