DMG4712SSS-13 - MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

codice articolo del costruttore

DMG4712SSS-13

Numero parte interna

ABC-DMG4712SSS-13

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1710156 Pieces

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Specifiche per DMG4712SSS-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMG4712SSS-13

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11.2A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 11.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 45.7nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2296pF @ 15V

Caratteristica FET : Schottky Diode (Body)

Dissipazione di potenza (max) : 1.55W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMG4 , DMG471

Documenti per DMG4712SSS-13

Schede tecniche : DMG4712SSS-13.pdf

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