SQ2309ES-T1_GE3 - MOSFET P-CHAN 60V SOT23

codice articolo del costruttore

SQ2309ES-T1_GE3

Numero parte interna

ABC-SQ2309ES-T1_GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET P-CHAN 60V SOT23

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2720781 Pieces

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Specifiche per SQ2309ES-T1_GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SQ2309ES-T1_GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET P-CHAN 60V SOT23

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.7A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 336 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.5nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 265pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-236 (SOT-23)

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SQ230 , SQ2309E

Documenti per SQ2309ES-T1_GE3

Schede tecniche : SQ2309ES-T1_GE3.pdf

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