RQ6E030ATTCR - MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

codice articolo del costruttore

RQ6E030ATTCR

Numero parte interna

ABC-RQ6E030ATTCR

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

4181723 Pieces

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Specifiche per RQ6E030ATTCR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RQ6E030ATTCR

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 91 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.4nC @ 10V

Vgs (massimo) : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 240pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : -

temperatura di esercizio : -

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TSMT6 (SC-95)

Pacchetto / caso : SC-74, SOT-457

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RQ6E , RQ6E03

Documenti per RQ6E030ATTCR

Schede tecniche : RQ6E030ATTCR.pdf

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