EPC2106 - GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE

codice articolo del costruttore

EPC2106

Numero parte interna

ABC-EPC2106

fabbricante

EPC

Breve descrizione

GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

835009 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.392~~

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Specifiche per EPC2106

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : EPC2106

fabbricante : EPC

Descrizione : GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE

Serie : eGaN®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Caratteristica FET : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 2A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 600µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.73nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 75pF @ 50V

Potenza - Max : -

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : Die

Pacchetto dispositivo fornitore : Die

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : EP , EPC

Documenti per EPC2106

Schede tecniche : EPC2106.pdf

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