SIAA00DJ-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 25V

codice articolo del costruttore

SIAA00DJ-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SIAA00DJ-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CHAN 25V

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2118599 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per SIAA00DJ-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIAA00DJ-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CHAN 25V

Serie : TrenchFET® Gen IV

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 20.1A (Ta), 40A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.6 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V

Vgs (massimo) : +16V, -12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1090pF @ 12.5V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SC-70-6 Single

Pacchetto / caso : PowerPAK® SC-70-6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIAA0 , SIAA00D

Documenti per SIAA00DJ-T1-GE3

Schede tecniche : SIAA00DJ-T1-GE3.pdf

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