ISL9R3060G2 - DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

codice articolo del costruttore

ISL9R3060G2

Numero parte interna

ABC-ISL9R3060G2

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

225736 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per ISL9R3060G2

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : ISL9R3060G2

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Serie : Stealth™

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Corrente: media rettificata (Io) : 30A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 2.4V @ 30A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 45ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 100µA @ 600V

Capacità @ Vr, F : -

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto / caso : TO-247-2

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247-2

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 175°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : ISL , ISL9R

Documenti per ISL9R3060G2

Schede tecniche : ISL9R3060G2.pdf

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