SIZ704DT-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8

codice articolo del costruttore

SIZ704DT-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SIZ704DT-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1228234 Pieces

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Specifiche per SIZ704DT-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIZ704DT-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A, 16A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 435pF @ 15V

Potenza - Max : 20W, 30W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-PowerPair™

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-PowerPair™

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIZ70 , SIZ704D

Documenti per SIZ704DT-T1-GE3

Schede tecniche : SIZ704DT-T1-GE3.pdf

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