APT6017B2LLG - MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX

codice articolo del costruttore

APT6017B2LLG

Numero parte interna

ABC-APT6017B2LLG

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

59370 Pieces

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Specifiche per APT6017B2LLG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : APT6017B2LLG

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX

Serie : POWER MOS 7®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 500W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : T-MAX™ [B2]

Pacchetto / caso : TO-247-3 Variant

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : APT6 , APT601

Documenti per APT6017B2LLG

Schede tecniche : APT6017B2LLG.pdf

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