SIS776DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

codice articolo del costruttore

SIS776DN-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SIS776DN-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1416982 Pieces

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Specifiche per SIS776DN-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIS776DN-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Serie : SkyFET®, TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.2 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1360pF @ 15V

Caratteristica FET : Schottky Diode (Body)

Dissipazione di potenza (max) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)

temperatura di esercizio : -50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 1212-8

Pacchetto / caso : PowerPAK® 1212-8

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIS77 , SIS776D

Documenti per SIS776DN-T1-GE3

Schede tecniche : SIS776DN-T1-GE3.pdf

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