GSID100A120T2C1 - SILICON IGBT MODULES

codice articolo del costruttore

GSID100A120T2C1

Numero parte interna

ABC-GSID100A120T2C1

fabbricante

Global Power Technologies Group

Breve descrizione

SILICON IGBT MODULES

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

38811 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 61.328335~~

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Specifiche per GSID100A120T2C1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : GSID100A120T2C1

fabbricante : Global Power Technologies Group

Descrizione : SILICON IGBT MODULES

Serie : Amp+™

Stato parte : Active

Tipo IGBT : -

Configurazione : Three Phase Inverter

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1200V

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 200A

Potenza - Max : 640W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 100A

Corrente - Limite del collettore (max) : 1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce : 13.7nF @ 25V

Ingresso : Three Phase Bridge Rectifier

Termistore NTC : Yes

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : Module

Pacchetto dispositivo fornitore : Module

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : GSID1 , GSID100

Documenti per GSID100A120T2C1

Schede tecniche : GSID100A120T2C1.pdf

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