RFD16N05LSM9A - MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA

codice articolo del costruttore

RFD16N05LSM9A

Numero parte interna

ABC-RFD16N05LSM9A

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1274644 Pieces

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Specifiche per RFD16N05LSM9A

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RFD16N05LSM9A

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 16A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 47 mOhm @ 16A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 60W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252AA

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RFD1 , RFD16N

Documenti per RFD16N05LSM9A

Schede tecniche : RFD16N05LSM9A.pdf

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