AS4C512M8D3B-12BINTR - IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

codice articolo del costruttore

AS4C512M8D3B-12BINTR

Numero parte interna

ABC-AS4C512M8D3B-12BINTR

fabbricante

Alliance Memory, Inc.

Breve descrizione

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

76700 Pieces

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Specifiche per AS4C512M8D3B-12BINTR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : AS4C512M8D3B-12BINTR

fabbricante : Alliance Memory, Inc.

Descrizione : IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Serie : -

Stato parte : Preliminary

Tipo di memoria : Volatile

Formato di memoria : DRAM

Tecnologia : SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria : 4Gb (512M x 8)

Frequenza di clock : 800MHz

Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : 15ns

Tempo di accesso : 20ns

Interfaccia di memoria : Parallel

Tensione - Fornitura : 1.425V ~ 1.575V

temperatura di esercizio : -40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 78-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore : 78-FBGA (9x10.5)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : AS4C51 , AS4C512M8D

Documenti per AS4C512M8D3B-12BINTR

Schede tecniche : AS4C512M8D3B-12BINTR.pdf

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