GA100JT12-227 - TRANS SJT 1200V 160A SOT227

codice articolo del costruttore

GA100JT12-227

Numero parte interna

ABC-GA100JT12-227

fabbricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descrizione

TRANS SJT 1200V 160A SOT227

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

87584 Pieces

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Specifiche per GA100JT12-227

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : GA100JT12-227

fabbricante : GeneSiC Semiconductor

Descrizione : TRANS SJT 1200V 160A SOT227

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : -

Tecnologia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 160A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 100A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 14400pF @ 800V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 535W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-227

Pacchetto / caso : SOT-227-4, miniBLOC

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : GA10 , GA100J

Documenti per GA100JT12-227

Schede tecniche : GA100JT12-227.pdf

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