CXDM1002N TR - MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89

codice articolo del costruttore

CXDM1002N TR

Numero parte interna

ABC-CXDM1002N TR

fabbricante

Central Semiconductor Corp

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1454768 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per CXDM1002N TR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : CXDM1002N TR

fabbricante : Central Semiconductor Corp

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 5V

Vgs (massimo) : 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.2W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-89

Pacchetto / caso : TO-243AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : CXDM , CXDM10

Documenti per CXDM1002N TR

Schede tecniche : CXDM1002N TR.pdf

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