C2M0280120D - MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3

codice articolo del costruttore

C2M0280120D

Numero parte interna

ABC-C2M0280120D

fabbricante

Cree/Wolfspeed

Breve descrizione

MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

131248 Pieces

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Specifiche per C2M0280120D

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : C2M0280120D

fabbricante : Cree/Wolfspeed

Descrizione : MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3

Serie : Z-FET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 370 mOhm @ 6A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1.25mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20.4nC @ 20V

Vgs (massimo) : +25V, -10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 259pF @ 1000V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 62.5W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247-3

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : C2M , C2M02

Documenti per C2M0280120D

Schede tecniche : C2M0280120D.pdf

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