2N7002ET7G - NFET SOT23 60V 115MA 7MO

codice articolo del costruttore

2N7002ET7G

Numero parte interna

ABC-2N7002ET7G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

NFET SOT23 60V 115MA 7MO

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

23997435 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per 2N7002ET7G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 2N7002ET7G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : NFET SOT23 60V 115MA 7MO

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 260mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 240mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.81nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 40pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 300mW (Tj)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23-3 (TO-236)

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 2N7 , 2N700

Documenti per 2N7002ET7G

Schede tecniche : 2N7002ET7G.pdf

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