APTMC120AM08CD3AG - MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3

codice articolo del costruttore

APTMC120AM08CD3AG

Numero parte interna

ABC-APTMC120AM08CD3AG

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

58996 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per APTMC120AM08CD3AG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : APTMC120AM08CD3AG

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Caratteristica FET : Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 250A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 200A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 10mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 490nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 9500pF @ 1000V

Potenza - Max : 1100W

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : D-3 Module

Pacchetto dispositivo fornitore : D3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : APTMC , APTMC120

Documenti per APTMC120AM08CD3AG

Schede tecniche : APTMC120AM08CD3AG.pdf

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