IRFB61N15DPBF - MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB

codice articolo del costruttore

IRFB61N15DPBF

Numero parte interna

ABC-IRFB61N15DPBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

226506 Pieces

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Specifiche per IRFB61N15DPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRFB61N15DPBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB

Serie : HEXFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 36A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3470pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.4W (Ta), 330W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220AB

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRFB , IRFB61

Documenti per IRFB61N15DPBF

Schede tecniche : IRFB61N15DPBF.pdf

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