IRF6775MTRPBF - MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET

codice articolo del costruttore

IRF6775MTRPBF

Numero parte interna

ABC-IRF6775MTRPBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

693623 Pieces

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Specifiche per IRF6775MTRPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF6775MTRPBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET

Serie : HEXFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.9A (Ta), 28A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 56 mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1411pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DIRECTFET™ MZ

Pacchetto / caso : DirectFET™ Isometric MZ

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF6 , IRF677

Documenti per IRF6775MTRPBF

Schede tecniche : IRF6775MTRPBF.pdf

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