PMV120ENEAR - MOSFET N-CH 60V TO-236AB

codice articolo del costruttore

PMV120ENEAR

Numero parte interna

ABC-PMV120ENEAR

fabbricante

Nexperia USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V TO-236AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

4171328 Pieces

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Specifiche per PMV120ENEAR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PMV120ENEAR

fabbricante : Nexperia USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 60V TO-236AB

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.1A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 123 mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.4nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 275pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 513mW (Ta), 6.4W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-236AB

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PMV , PMV12

Documenti per PMV120ENEAR

Schede tecniche : PMV120ENEAR.pdf

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