JAN1N5809URS - DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

codice articolo del costruttore

JAN1N5809URS

Numero parte interna

ABC-JAN1N5809URS

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

62439 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per JAN1N5809URS

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : JAN1N5809URS

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Serie : Military, MIL-PRF-19500/477

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V

Corrente: media rettificata (Io) : 3A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 4A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SQ-MELF, B

Pacchetto dispositivo fornitore : B, SQ-MELF

Temperatura operativa - Giunzione : -65°C ~ 175°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : JAN1 , JAN1N5

Documenti per JAN1N5809URS

Schede tecniche : JAN1N5809URS.pdf

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