US6M11TR - MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

codice articolo del costruttore

US6M11TR

Numero parte interna

ABC-US6M11TR

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3352013 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per US6M11TR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : US6M11TR

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N and P-Channel

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V, 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.5A, 1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 110pF @ 10V

Potenza - Max : 1W

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore : TUMT6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : US , US6M

Documenti per US6M11TR

Schede tecniche : US6M11TR.pdf

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