IRFI640G - MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP

codice articolo del costruttore

IRFI640G

Numero parte interna

ABC-IRFI640G

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

100824 Pieces

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Specifiche per IRFI640G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRFI640G

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9.8A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 40W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220-3

Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per IRFI640G

Schede tecniche : IRFI640G.pdf

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