RJK0629DPE-00#J3 - MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK

codice articolo del costruttore

RJK0629DPE-00#J3

Numero parte interna

ABC-RJK0629DPE-00#J3

fabbricante

Renesas Electronics America

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

87776 Pieces

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Specifiche per RJK0629DPE-00#J3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RJK0629DPE-00#J3

fabbricante : Renesas Electronics America

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 85A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 43A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 85nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4100pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 100W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 4-LDPAK

Pacchetto / caso : SC-83

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RJK06 , RJK0629D

Documenti per RJK0629DPE-00#J3

Schede tecniche : RJK0629DPE-00#J3.pdf

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