FDS3812 - MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC

codice articolo del costruttore

FDS3812

Numero parte interna

ABC-FDS3812

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

49101 Pieces

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Specifiche per FDS3812

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDS3812

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 74 mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 634pF @ 40V

Potenza - Max : 900mW

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per FDS3812

Schede tecniche : FDS3812.pdf

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