SI2337DS-T1-GE3 - MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

codice articolo del costruttore

SI2337DS-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SI2337DS-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1376466 Pieces

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Specifiche per SI2337DS-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI2337DS-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.2A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 500pF @ 40V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 760mW (Ta), 2.5W (Tc)

temperatura di esercizio : -50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23-3 (TO-236)

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI233 , SI2337D

Documenti per SI2337DS-T1-GE3

Schede tecniche : SI2337DS-T1-GE3.pdf

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