AS4C16M16MSA-6BINTR - IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

codice articolo del costruttore

AS4C16M16MSA-6BINTR

Numero parte interna

ABC-AS4C16M16MSA-6BINTR

fabbricante

Alliance Memory, Inc.

Breve descrizione

IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

195816 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per AS4C16M16MSA-6BINTR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : AS4C16M16MSA-6BINTR

fabbricante : Alliance Memory, Inc.

Descrizione : IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo di memoria : Volatile

Formato di memoria : DRAM

Tecnologia : SDRAM - Mobile SDRAM

Dimensione della memoria : 256Mb (16M x 16)

Frequenza di clock : 166MHz

Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : -

Tempo di accesso : 5.5ns

Interfaccia di memoria : Parallel

Tensione - Fornitura : 1.7V ~ 1.95V

temperatura di esercizio : -40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 54-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore : 54-FBGA (8x8)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : AS4C16 , AS4C16M16

Documenti per AS4C16M16MSA-6BINTR

Schede tecniche : AS4C16M16MSA-6BINTR.pdf

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